① 圧縮応力であるため100μmの超厚付けを実現
② 超厚付けが可能なためMEMS用途で採用
① 低応力のため厚付けが可能
② 厚付けで初めて比抵抗10μΩ・cm以下を実現
H-8 | F-20 | Other company |
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Thickness | μm | ~100 | ~10 | ~2 |
Internal stress | MPa | -370 | +180 | +550 |
Specific electrical resistance |
μΩ・cm | 65 | 9.2 | - |
Hardness | Hv | 930 | 1020 | 800~900 |